NPN кремний планарный средний мощность дарлингтона транзисторы

NPN кремний планарный средний мощность дарлингтона транзисторы

Артикул: C2942359 Part Number: ZTX601 Производитель: DIODES
от 0.590100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.620000 ₽
10 шт. 0.607400 ₽
30 шт. 0.599500 ₽
100 шт. 0.590100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 160V
Ток коллектора (Ic) 1A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Рабочая температура -55℃~+200℃
Коэффициент усиления по постоянному току 5000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 850mV
Ток отсечки коллектора 11nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.7V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz

Описание

160V 5000 1A NPN TO-92 одиночные биполярные транзисторы RoHS