68V N-канальный обогащение режим MOSFET, ток:64A, напряжение:68V

68V N-канальный обогащение режим MOSFET, ток:64A, напряжение:68V

Артикул: C2932022 Part Number: 6080D Производитель: FM
от 0.169800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.462900 ₽
200 шт. 0.179200 ₽
500 шт. 0.172900 ₽
800 шт. 0.169800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 68V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 80A
Рассеиваемая мощность (Pd) 128W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 9.2mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 75nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 3.899nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 303pF
Выходная ёмкость (Coss) 321pF
Напряжение затвор–исток (Vgs) ±20V

Описание

128W 68V 80A 4V 9.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)