P-канальный обогащение режим мощность MOSFET, ток: -40A, напряжение: -30V
Артикул: C2932011
Part Number: 30P55K
Производитель: FM
от 0.169800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.462900 ₽ |
| 200 шт. | 0.179200 ₽ |
| 500 шт. | 0.172900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.169800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 24.8W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.564nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 373pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 416pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
24.8W 30V 40A 2.5V 16mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)