P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -5.3A, напряжение: -30V
Артикул: C2926381
Part Number: HG9435M/TR
Производитель: HGSEMI
от 0.061100 ₽
В наличии: 2500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.123400 ₽ |
| 50 шт. | 0.100000 ₽ |
| 150 шт. | 0.088300 ₽ |
| 500 шт. | 0.079500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.064600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.061100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 90mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.12nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 190pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 600pF |
Описание
30V 5.3A 3V 2.5W 90mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)