Двойной P-канальный обогащение режим MOSFET, ток:-4.9A, напряжение:-30V
Артикул: C2926380
Part Number: HG4953M/TR
Производитель: HGSEMI
от 0.081400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.159200 ₽ |
| 50 шт. | 0.126400 ₽ |
| 150 шт. | 0.112300 ₽ |
| 500 шт. | 0.094800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.086100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.081400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 625pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 60pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 100pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
2W 30V 4.9A 2V 80mΩ@4.5V 2 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)