Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C2916135 Part Number: IKW75N60H3 Производитель: Infineon
от 2.985600 ₽ В наличии: 505 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.585000 ₽
10 шт. 3.969800 ₽
30 шт. 3.604000 ₽
90 шт. 3.233300 ₽
480 шт. 3.062700 ₽
960 шт. 2.985600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 428W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 80A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 470nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.1V@1.2mA
Входная ёмкость (Cies) 4.62nF
Выходная ёмкость (Coes) 240pF
Проходная ёмкость (Cres) 138pF
Время задержки включения Td(on) 31ns
Время задержки выключения Td(off) 265ns
Энергия потерь при включении (Eon) 3mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.7mJ
Время обратного восстановления (trr) 190ns

Описание

428W 80A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS