P-канальный обогащение-режим MOSFET, ток:-7A, напряжение пробоя:-20V
Артикул: C2912041
Part Number: LP2707DT2AG
Производитель: LRC
от 0.099100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.144400 ₽ |
| 50 шт. | 0.124900 ₽ |
| 150 шт. | 0.115200 ₽ |
| 500 шт. | 0.107900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.102000 ₽ |
| 4000 шт. | 0.099100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.9W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 110mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 797.3pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 74.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 88.5pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.9W 20V 7A 1.4V 110mΩ@2.5V 1 P-канальный P-канальный U-DFN2020-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)