Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C2910252
Part Number: UMD6N
Производитель: JSCJ
от 0.026000 ₽
В наличии: 1750 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.050700 ₽ |
| 100 шт. | 0.040100 ₽ |
| 300 шт. | 0.034800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.030800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.027600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.026000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363