Кремний PNP дарлингтон мощность транзистор

Кремний PNP дарлингтон мощность транзистор

Артикул: C2908019 Part Number: MJ2501 Производитель: SPTECH
от 3.151800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.428800 ₽
10 шт. 3.975500 ₽
25 шт. 3.605100 ₽
100 шт. 3.333800 ₽
500 шт. 3.207100 ₽
1000 шт. 3.151800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Ток коллектора (Ic) 10A
Рабочая температура -55℃~+200℃
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 400mV
Ток отсечки коллектора 1mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 3V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

80V 1000 10A PNP TO-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS