IGBT с SiC В общем корпусе диод
Артикул: C2902241
Part Number: AFGHL75T65SQDC
Производитель: onsemi
от 12.862200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.962000 ₽ |
| 10 шт. | 14.499800 ₽ |
| 30 шт. | 13.609500 ₽ |
| 90 шт. | 12.862200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 139nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.4V@75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.574nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 289.4pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11.2pF |
| Время задержки включения Td(on) | 24ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 107ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.68mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.11mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
375W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы RoHS