P-канальный MOSFET, ток: -263A, напряжение пробоя: -30V
Артикул: C2902170
Part Number: NTMFS002P03P8ZT1G
Производитель: onsemi
от 1.443600 ₽
В наличии: 1500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.355700 ₽ |
| 10 шт. | 2.016100 ₽ |
| 30 шт. | 1.802800 ₽ |
| 100 шт. | 1.584700 ₽ |
| 500 шт. | 1.486200 ₽ |
| 1500 шт. | 1.443600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 263A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 138.9W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 365nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.95nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.87nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 5.28nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
138.9W 30V 263A 1V 1.4mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SO-8FL-EP-5.8mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS