onsemi NCD57090BDWR2G
Артикул: C2902047
Part Number: NCD57090BDWR2G
Производитель: onsemi
от 2.288400 ₽
В наличии: 60 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.420200 ₽ |
| 10 шт. | 2.364900 ₽ |
| 30 шт. | 2.325800 ₽ |
| 100 шт. | 2.288400 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET、IGBT |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение питания | 12.4V~30V;3.3V~20V |
| Устойчивость к синфазным переходным помехам CMTI (кВ/мкс) | 100kV/us |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 5000V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 6.5A |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 6.5A |
| Время нарастания | 13ns |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время спада | 13ns |
| Задержка распространения (tpd) | 60ns;60ns |
| Ток покоя | 2mA |
| Особенности | Miller clamp protection |
Описание
6.5A 13ns 13ns 6.5A SOIC-8-300mil изолированные драйверы затворов RoHS