ROHM EMB3T2R
Артикул: C2889123
Part Number: EMB3T2R
Производитель: ROHM
от 0.039300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.090300 ₽ |
| 50 шт. | 0.072300 ₽ |
| 150 шт. | 0.063300 ₽ |
| 500 шт. | 0.056500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.043000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.040300 ₽ |
| 8000 шт. | 0.039700 ₽ |
| 16000 шт. | 0.039300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
100 150mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-563 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS