Кремний NPN эпитаксиальный тип (PCT процесс) (со встроенными резисторами смещения транзистор)
Артикул: C2880446
Part Number: RN1427(TE85L,F)
Производитель: TOSHIBA
от 0.108300 ₽
В наличии: 51 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.224500 ₽ |
| 10 шт. | 0.174900 ₽ |
| 30 шт. | 0.153700 ₽ |
| 100 шт. | 0.127200 ₽ |
| 500 шт. | 0.115400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.108300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 800mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 90 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@100mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.24 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 300MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 90 800mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-346 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS