Дискретный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) кремний N-канальный IGBT
Артикул: C2880445
Part Number: GT50JR22(S1WLD,E,S
Производитель: TOSHIBA
от 0.785100 ₽
В наличии: 8694 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.673600 ₽ |
| 10 шт. | 1.399300 ₽ |
| 25 шт. | 1.065900 ₽ |
| 100 шт. | 0.895100 ₽ |
| 500 шт. | 0.819600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.785100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 1mA |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 7.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 250ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 330ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 350ns |
Описание
250W 50A 600V TO-3P-3 одиночные IGBT-транзисторы