650 V CoolSiC M1 SiC траншейный мощность устройство
Артикул: C2879870
Part Number: IMW65R027M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 13.401200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.379300 ₽ |
| 10 шт. | 15.678600 ₽ |
| 30 шт. | 14.463100 ₽ |
| 100 шт. | 13.401200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 47A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 189W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 34mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 62nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.131nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 317pF |
Описание
650V 47A 5.7V 189W 34mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS