40V, 1.3mΩ, 5mm×6mm N-канальный MOSFET
Артикул: C2876545
Part Number: CSD18512Q5BT
Производитель: TI
от 0.983000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.677900 ₽ |
| 250 шт. | 1.036900 ₽ |
| 500 шт. | 1.000500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.983000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 211A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 139W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.3mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 98nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.12nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 256pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 699pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
139W 40V 211A 2.2V 2.3mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный VSON-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS