30V, 0.56mΩ, 30V
Артикул: C2876543
Part Number: CSD17570Q5BT
Производитель: TI
от 1.320700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.600600 ₽ |
| 250 шт. | 1.393700 ₽ |
| 500 шт. | 1.344500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.320700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.69mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 121nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 13.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.14nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.89nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3.2W 30V 100A 1.9V 0.69mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный VSON-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS