HTCSEMI HT55NF06ASZ
Артикул: C2874953
Part Number: HT55NF06ASZ
Производитель: HTCSEMI
от 0.202800 ₽
В наличии: 185 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.394200 ₽ |
| 50 шт. | 0.313100 ₽ |
| 150 шт. | 0.277400 ₽ |
| 500 шт. | 0.233600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.214200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.202800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.05nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 70pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 460pF |
Описание
60V 55A 4V 120W 18mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS