Сборка N- и P-канальных MOSFET 20V 4.2A WDFN-6-EP(2x2)
Артикул: C2874706
Part Number: SIA519EDJ-T1-GE3
Производитель: JSMSEMI
от 0.122000 ₽
В наличии: 1680 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.191100 ₽ |
| 50 шт. | 0.168800 ₽ |
| 150 шт. | 0.159300 ₽ |
| 500 шт. | 0.147300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.125200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.122000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 7.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 90mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 350pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 50pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 105pF |
Описание
Сборка N- и P-канальных транзисторов 20V 4.2A 7.8W поверхностный монтаж WDFN-6-EP(2x2)