TI CSD88599Q5DC
Артикул: C2871380
Part Number: CSD88599Q5DC
Производитель: TI
от 15.644600 ₽
В наличии: 21 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.516400 ₽ |
| 10 шт. | 16.173500 ₽ |
| 30 шт. | 15.998900 ₽ |
| 100 шт. | 15.763800 ₽ |
| 500 шт. | 15.680500 ₽ |
| 1000 шт. | 15.644600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.1mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 12W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 56nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.84nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 870pF |
Описание
60V 2.1mΩ@10V 12W 2V 2 N-канальный VSON-22(5x6) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS