TI CSD87503Q3E
Артикул: C2868579
Part Number: CSD87503Q3E
Производитель: TI
от 1.590600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.008100 ₽ |
| 10 шт. | 1.871600 ₽ |
| 30 шт. | 1.743300 ₽ |
| 100 шт. | 1.647400 ₽ |
| 500 шт. | 1.608400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.590600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Common source |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 21.9mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 17.4nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 782pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 149pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 157pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 10A 15.6W 21.9mΩ@4.5V 2.1V 2 N-канальный VSON-8(3.2x3.2) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS