30-V N-канальный NexFET мощность MOSFET
Артикул: C2866779
Part Number: CSD17507Q5A
Производитель: TI
от 0.385200 ₽
В наличии: 91 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.626100 ₽ |
| 10 шт. | 0.532700 ₽ |
| 30 шт. | 0.465500 ₽ |
| 100 шт. | 0.411400 ₽ |
| 500 шт. | 0.395000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.385200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 65A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 39W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 530pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 350pF |
Описание
30V 65A 1.6V 39W 9mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный VSONP-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS