1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C28661303
Part Number: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Производитель: Infineon
от 35.130300 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 36.836000 ₽ |
| 30 шт. | 35.130300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 429W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 82nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.667nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 126pF |
Описание
1.2kV 100A 429W монтаж в отверстия TO-247-4