TI CSD85301Q2T
Артикул: C2865669
Part Number: CSD85301Q2T
Производитель: TI
от 0.490000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.335000 ₽ |
| 250 шт. | 0.516900 ₽ |
| 500 шт. | 0.499500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.490000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 23mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 900mV |
| Заряд затвора (Qg) | 4.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 361pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 48pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 68pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±10V |
Описание
20V 5A 23mΩ@4.5V 900mV 2 N-канальный WDFN-6-EP(2x2) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS