Двойной N-канальный MOSFET, ток:7A, напряжение:20V
Артикул: C2863316
Part Number: CSD85302LT
Производитель: TI
от 0.312800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.852900 ₽ |
| 250 шт. | 0.330100 ₽ |
| 500 шт. | 0.319100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.312800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Common Drain |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22.5mΩ@6.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 933pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 79pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 120pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±10V |
Описание
20V 7A 22.5mΩ@6.5V 1.7W 1.3V 2 N-канальный PicostAr-4(1.3x1.3) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS