40V, 1.8mΩ, 5mm×6mm N-канальный MOSFET
Артикул: C2863163
Part Number: CSD18502Q5BT
Производитель: TI
от 1.403200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.825800 ₽ |
| 250 шт. | 1.480900 ₽ |
| 500 шт. | 1.428500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.403200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 33nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.07nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 27pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.17nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
156W 40V 100A 2.2V 3.3mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный VSON-CLIP-8(6x5) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS