100V N-канальный MOSFET, ток:110A, напряжение пробоя:100V
Артикул: C2862209
Part Number: CSD19531KCS
Производитель: TI
от 1.983000 ₽
В наличии: 31 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.805700 ₽ |
| 10 шт. | 2.482800 ₽ |
| 50 шт. | 2.317300 ₽ |
| 100 шт. | 2.097700 ₽ |
| 500 шт. | 2.017400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.983000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 110A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 214W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 49nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.87nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 17pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 728pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
214W 100V 110A 3.3V 6.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS