TI TPS1101DR
Артикул: C2861045
Part Number: TPS1101DR
Производитель: TI
от 0.383900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.046300 ₽ |
| 200 шт. | 0.405600 ₽ |
| 500 шт. | 0.391600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.383900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 15V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 791mW |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 190mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.25nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
791mW 15V 2.3A 1.5V 190mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS