30V N-канальный NexFET мощность MOSFET
Артикул: C2860510
Part Number: CSD17312Q5
Производитель: TI
от 1.696200 ₽
В наличии: 34 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.438600 ₽ |
| 10 шт. | 2.162400 ₽ |
| 30 шт. | 1.988600 ₽ |
| 100 шт. | 1.811500 ₽ |
| 500 шт. | 1.731900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.696200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2mΩ@8V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.03nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 93pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.22nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±10V |
Описание
3.2W 30V 100A 1.1V 1.2mΩ@8V 1 N-канальный N-канальный VSON-CLIP-8(6x5) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS