100V,2mΩ N-канальный MOSFET
Артикул: C2860358
Part Number: CSD19536KTTT
Производитель: TI
от 5.723900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.600200 ₽ |
| 10 шт. | 6.715700 ₽ |
| 30 шт. | 6.177100 ₽ |
| 100 шт. | 5.723900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 272A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 153nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 12nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 61pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.37nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
375W 100V 272A 3.2V 2.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS