TI CSD87333Q3DT
Артикул: C2859739
Part Number: CSD87333Q3DT
Производитель: TI
от 0.661200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.801100 ₽ |
| 250 шт. | 0.697700 ₽ |
| 500 шт. | 0.672300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.661200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.9mΩ@8V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 6W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 950mV |
| Заряд затвора (Qg) | 3.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 509pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 222pF |
Описание
30V 11.9mΩ@8V 6W 950mV 2 N-канальный VSON-8-EP(3.3x3.3) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS