Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Артикул: C2859173 Part Number: MMDT1907DW Производитель: ST(Semtech)
от 0.021900 ₽ В наличии: 20 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.043200 ₽
100 шт. 0.034300 ₽
300 шт. 0.029800 ₽
3000 шт. 0.025900 ₽
6000 шт. 0.023200 ₽
9000 шт. 0.021900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 2 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.8V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 0.213
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363