60V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C2857376
Part Number: S-LN03N060TZHG
Производитель: LRC
от 0.169800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.462900 ₽ |
| 200 шт. | 0.179200 ₽ |
| 500 шт. | 0.172900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.169800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 58mΩ@5V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 605pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 34pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2W 60V 5A 3.2V 58mΩ@5V 1 N-канальный N-канальный SOT-223-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)