ROHM DTD113ZCHZGT116
Артикул: C2846667
Part Number: DTD113ZCHZGT116
Производитель: ROHM
от 0.031900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.033900 ₽ |
| 100 шт. | 0.033100 ₽ |
| 300 шт. | 0.032500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.031900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 82 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 1.3kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
50V 82 500mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS