P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -8A, напряжение: -30V
Артикул: C2843505
Part Number: HYG260P03LR1S
Производитель: HUAYI
от 0.125000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.188500 ₽ |
| 50 шт. | 0.161200 ₽ |
| 150 шт. | 0.147500 ₽ |
| 500 шт. | 0.137300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.129100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.125000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 18.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.21nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 86pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 120pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3W 30V 8A 3V 30mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)