Двойной N-канальный MOSFET, ток:6.8A, напряжение:30V
Артикул: C2838495
Part Number: SI4816BDY-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.130800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.595400 ₽ |
| 10 шт. | 1.415100 ₽ |
| 30 шт. | 1.316000 ₽ |
| 100 шт. | 1.202300 ₽ |
| 500 шт. | 1.153500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.130800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11.4A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22.5mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.6nC@5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 11.4A 22.5mΩ@4.5V 1.5W 3V 2 N-канальный SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS