Комплементарный кремний мощность дарлингтона транзисторы

Комплементарный кремний мощность дарлингтона транзисторы

Артикул: C283400 Part Number: BDX33C Производитель: ST
от 0.301900 ₽ В наличии: 1078 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.607000 ₽
10 шт. 0.482300 ₽
30 шт. 0.420000 ₽
100 шт. 0.359300 ₽
500 шт. 0.321600 ₽
1000 шт. 0.301900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 70W
Ток коллектора (Ic) 10A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 750
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.5V
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 750 10A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS