650V GaN мощность транзистор
Артикул: C28324645
Part Number: GBG65200NMAR
Производитель: GOSEMICON
от 0.568700 ₽
В наличии: 94 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.022700 ₽ |
| 10 шт. | 0.845700 ₽ |
| 30 шт. | 0.749000 ₽ |
| 100 шт. | 0.639200 ₽ |
| 500 шт. | 0.590000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.568700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 1.9nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 68pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
Описание
650V 11A 1.4V 83W 140mΩ 1 N-канальный N-канальный PDFN-9L(8x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)