120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

Артикул: C28324638 Part Number: GBI7A54NMAR Производитель: GOSEMICON
от 0.706600 ₽ В наличии: 2756 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.197800 ₽
10 шт. 1.006900 ₽
30 шт. 0.902400 ₽
100 шт. 0.783300 ₽
500 шт. 0.731100 ₽
1000 шт. 0.706600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 5ns
Время нарастания 7ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 4A
Напряжение питания 8V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 4A
Особенности Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 240uA
Входной логический уровень — низкий 900mV~1.3V
Входной логический уровень — высокий 1.9V~2.4V

Описание

8V~20V 4A 4A DFN-8L-EP(4x4) драйверы затворов