120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

120V защитный чехол, 4A пиковый, полумостовой драйвер с низкий импульсный потери

Артикул: C28324637 Part Number: GBI7A54SMAR Производитель: GOSEMICON
от 0.563500 ₽ В наличии: 211 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.055100 ₽
10 шт. 0.864000 ₽
30 шт. 0.759500 ₽
100 шт. 0.640200 ₽
500 шт. 0.588000 ₽
1000 шт. 0.563500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 24ns
Время задержки низкого уровня 28ns
Время спада 5ns
Время нарастания 7ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 4A
Напряжение питания 8V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 4A
Особенности Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 240uA
Входной логический уровень — низкий 900mV~1.3V
Входной логический уровень — высокий 1.9V~2.4V

Описание

8V~20V 4A 4A ESOP-8L драйверы затворов