30V N-канальный обогащение режим MOSFET, ток:20A, напряжение пробоя:30V
Артикул: C28314447
Part Number: JSM4430
Производитель: JSMSEMI
от 0.152200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.401400 ₽ |
| 200 шт. | 0.160200 ₽ |
| 500 шт. | 0.154800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.152200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.724nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 329pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 456pF |
Описание
30V 20A 3V 3W 6mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS