P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -40A, напряжение: 100V
Артикул: C2827248
Part Number: HYG400P10LR1D
Производитель: HUAYI
от 0.205100 ₽
В наличии: 2455 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.408500 ₽ |
| 10 шт. | 0.321600 ₽ |
| 30 шт. | 0.283800 ₽ |
| 100 шт. | 0.237900 ₽ |
| 500 шт. | 0.216600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.205100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 63mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 83.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.003nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 111pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 189pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 100V 40A 2V 63mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)