P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -70A, напряжение: -40V
Артикул: C2827237
Part Number: HYG060P04LQ1D
Производитель: HUAYI
от 0.412200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.679300 ₽ |
| 10 шт. | 0.571800 ₽ |
| 30 шт. | 0.524600 ₽ |
| 100 шт. | 0.467600 ₽ |
| 500 шт. | 0.428500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.412200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 128nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.774nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 403pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 431pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
65W 40V 70A 3V 10.5mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)