Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C282572
Part Number: PUMB11,115
Производитель: Nexperia
от 0.064700 ₽
В наличии: 1265 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.140700 ₽ |
| 50 шт. | 0.111400 ₽ |
| 150 шт. | 0.096800 ₽ |
| 500 шт. | 0.085800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.069100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.064700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 180MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-363