Цифровой транзистор
Артикул: C27975296
Part Number: UMD10N
Производитель: LGE
от 0.040800 ₽
В наличии: 885 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.079500 ₽ |
| 50 шт. | 0.062900 ₽ |
| 150 шт. | 0.054500 ₽ |
| 500 шт. | 0.048300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.043300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.040800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,250uA |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 0.2W поверхностный монтаж SOT-363