Кремний карбид мощность MOSFET
Артикул: C27761645
Part Number: LGE3M30065Q
Производитель: LGE
от 8.210400 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.704000 ₽ |
| 10 шт. | 10.057200 ₽ |
| 30 шт. | 9.052900 ₽ |
| 90 шт. | 8.210400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 92A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 326W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 36mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 163nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.48nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 295pF |
Описание
650V 92A 4V 326W 36mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)