P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -190A, напряжение: -30V
Артикул: C2763415
Part Number: HYG025P03LQ1B
Производитель: HUAYI
от 0.762400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.150100 ₽ |
| 10 шт. | 0.992100 ₽ |
| 30 шт. | 0.912300 ₽ |
| 100 шт. | 0.834100 ₽ |
| 500 шт. | 0.786800 ₽ |
| 800 шт. | 0.762400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 190A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 280nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.22nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.314nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.254nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200W 30V 190A 3V 4.2mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)