HUAYI HYG050N13NS1B
Артикул: C2763413
Part Number: HYG050N13NS1B
Производитель: HUAYI
от 1.876500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.709900 ₽ |
| 10 шт. | 2.399600 ₽ |
| 30 шт. | 2.204700 ₽ |
| 100 шт. | 2.006500 ₽ |
| 500 шт. | 1.915500 ₽ |
| 800 шт. | 1.876500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 135V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 200A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 165nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11.687nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 176pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 905pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
375W 135V 200A 4V 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)