P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -72A, напряжение: -125V
Артикул: C2763412
Part Number: HYG190P13NA1B
Производитель: HUAYI
от 1.565500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.259400 ₽ |
| 10 шт. | 1.989000 ₽ |
| 30 шт. | 1.840700 ₽ |
| 100 шт. | 1.673000 ₽ |
| 500 шт. | 1.599700 ₽ |
| 800 шт. | 1.565500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 125V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 72A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 230W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 24mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 160nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 8.348nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 430pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 572pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
230W 125V 72A 3.5V 24mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)